RSIF投資先のPatentix株式会社シリーズA1（シリーズAのエクステンション）で総額約1億5000万円の資金調達を実施超ワイドバンドギャップ（UWBG）半導体GeO₂の社会実装を加速

2026年4月、RSIF（立命館ソーシャルインパクトファンド, Ritsumeikan Social Impact Fund）投資先で、立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、シリーズA1（シリーズAのエクステンション）において、以下の企業・機関より、総額約 1億5,000万円の資金調達を実施いたしました。2022年12月創業以来の調達額は、計12億900万円となりました。

本件プレスリリース（Patentix社）

PATENTIX社について

Patentix株式会社は、次世代パワーデバイスに必要とされる超ワイドバンドギャップ（UWBG）半導体材料「二酸化ゲルマニウム（GeO₂）」の研究開発および製造販売を主力事業とする、立命館大学発のスタートアップ企業です。GeO₂半導体は立命館大学の金子健太郎教授の研究成果の一つであり、GeO₂半導体等の最先端の超ワイドバンドギャップ半導体（以下「先端半導体」という）は、エネルギー損失の大幅な削減や小型化、新規用途(例えば、超高出力電源やモーターの作製、宇宙用パワーデバイス、耐放射線用パワーデバイス等)の開発を可能とする魅力的な材料として期待されています。

出資者

三菱 UFJ キャピタル株式会社　株式会社 TMH

※出資額・五十音順

背景と今後の展望

世界的なEV（電気自動車）の普及やAI向けデータセンターの急増に伴い、電力消費の効率化は喫緊の課題となっています。こうした中、従来の半導体の限界を超える超ワイドバンドギャップ（UWBG）半導体への期待がかつてないほど高まっています。

特に二酸化ゲルマニウム（GeO₂）は、他の次世代材料では困難とされる「p型・n型両方の制御」が可能であり、かつ高いコスト競争力を持つことから、次世代パワー半導体の本命として急速に注目を集めています。

Patentixは2022年12月の創業以来、シード期においてn型ドーピングの確認やショットキーバリアダイオードの動作実証など、着実に研究成果を積み上げてきました。今回のシリーズA1（シリーズAのエクステンション）調達により、当社は「基礎研究フェーズ」から「実用化開発フェーズ」へと大きく舵を切ります。今後は製造体制を抜本的に強化し、サンプル出荷を加速させることで、車載・電力インフラ、さらには宇宙産業といった過酷環境下での利用を見据えた、日本発の革新的デバイスの社会実装を推進してまいります。

本調達により、Patentix は研究開発をさらに加速させます。

代表よりコメント

この度、シリーズAのエクステンションラウンド（シリーズA1）を完了できたことを大変嬉しく思います。今回の資金調達により、研究開発体制をさらに強固なものとし、6インチGeO2半導体基板及びGeO2パワーデバイスの開発をさらに加速させます。GeO2半導体の一日も早い社会実装を目指し、チーム一丸となってイノベーションを推進してまいります。　

Patentix株式会社　代表取締役社長兼CEO　衣斐豊祐

各投資家よりコメント

三菱 UFJ キャピタル株式会社

Patentixが主導する次世代半導体材料の二酸化ゲルマニウム(GeO2)はカーボンニュートラルや省エネ社会の実現に貢献する重要な技術の1つであり、可能性を秘めているテクノロジーです。昨夏、Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の薄膜の作成に成功、次世代半導体材料を安価に提供できる道を切り開いた事に対し、今後の大いなる発展と成長に期待しています。

株式会社 TMH

当社が掲げる『止めない製造』の実現は、装置や部品の安定供給にとどまらず、製造そのものを進化させる先端技術との連携なくしては成し得ません。Patentix株式会社が研究開発を進めるr-GeO₂は、パワー半導体の根本的な課題を解決し得る技術であり、製造現場を支えてきた当社だからこそ、その実用化の意義を強く確信しています。半導体製造の現場知見とサプライチェーンネットワークを最大限に活かし、Patentixとともに次世代パワー半導体の社会実装を前進させてまいります。